В тегеранском Технологическом университете им. Ходжа Насиреддина Туси создан самый быстрый в мире транзистор.

Как сообщили ИРНА сегодня в отделе по связям с общественностью университета, солитоновый транзистор создан преподавателем Электротехнического факультета ТУ им. Ходжа Насиреддина Туси доктором Фаршидом Раиси.

> При создании этого транзистора использован новый проводниковый материал – солитон, структурно устойчивая уединенная волна, распространяющаяся в нелинейной среде. Солитоны ведут себя подобно частицам (частицеподобная волна): при взаимодействии друг с другом или с некоторыми другими возмущениями они не разрушаются, а расходятся, сохраняя свою структуру неизменной.

По словам изобретателя солитонового транзистора Фаршида Раиси, устройство создано в размере 8/10 миллиметра и выдерживает частоту свыше 8 гигагерц, что в три раза быстрее современных полупроводниковых транзисторов.

Стратегической целью иранский изобретатель считает создание солитонового транзистора в масштабе 100 нанометров с частотой 200 - 300 гигагерц для применения в суперкомпьютерах.